198N是由五個NPN硅晶體管組成的三極管陣列厚膜集成電路。其中，兩個三極管通過內(nèi)部引線連接形成差分對管，它既可在通用的電路中作為高性能分立晶體管使用，也可用作專門的晶體管陣列使用。采用特殊加工工藝和優(yōu)選芯片，確保三極管陣列具有良好的電性能匹配、良好的熱性能匹配和極好的通道隔離度（通道絕緣電阻大于1010Ω）。電路采用了14線陶瓷扁平封裝，工作溫度范圍為-55~125℃ 參數(shù)名稱 符號 測試條件 規(guī)范值 單位 最小值 典型值 最大值 集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=0.01mA 50 V 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=0.1mA 45 V 集電極-基極截止電流 ICBO VCB=30V 0.01 0.1 μA 集電極-發(fā)射極截止電流 ICEO VCE=30V 0.1 5 μA 集電極-發(fā)射極的飽和電壓 VCE(sat) IB=1mA， IC=10mA 0.2 0.5 V 基極-發(fā)射極的飽和電壓 VBE(sat) IE=10mA， VCE=3V 0.8 1.2 V 正向電流放大倍數(shù) hFE VCE=10V， IC=10mA 60 150 正向電流放大匹配誤差 ΔhFE VCE=10V， IC=10mA 10 % 特征頻率 fT VCE=10V， IC=3mA 200 MHz