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奧林巴斯超聲波探傷儀EP650上海EP650斌瑞供
瀏覽鍵區(qū)
EPOCH 650型儀器的瀏覽鍵區(qū)是EPOCH探傷儀的標(biāo)志性特色。瀏覽鍵區(qū)的向上、向下箭頭鍵用于參數(shù)的粗略調(diào)節(jié)，向左和向右箭頭鍵用于參數(shù)的細(xì)微調(diào)節(jié)。瀏覽鍵區(qū)還包含其它幾個(gè)功能及常用參數(shù)，如：增益、保存、確定鍵及退出鍵。瀏覽鍵區(qū)配置的設(shè)計(jì)符合IP67的要求。
外觀特色（后面板）
A – USB（OTG）端口 B – microSD卡 C – DC電源接口 D – VGA端口 E – 數(shù)字式I/O端口 F – 探頭接口（2個(gè)） G – 電池艙蓋 H – 管形支架
便攜、堅(jiān)固、符合人體工程學(xué)要求
外觀特性
EPOCH 650型儀器是一款輕重量、易攜帶的探傷儀，其堅(jiān)固、靈活的特點(diǎn)使其可用于幾乎所有檢測(cè)環(huán)境中。這款儀器的一些主要外觀特性如下：
標(biāo)準(zhǔn)配置
儀器的輸入/輸出
USB端口
USB（OTG）端口
RS-232端口
有
視頻輸出
標(biāo)準(zhǔn)VGA輸出
模擬輸出
1個(gè)模擬輸出（可選），可選的1 V/10 V全標(biāo)度，相當(dāng)大4 mA
報(bào)警輸出
3個(gè)報(bào)警輸出，5V TTL，10 mA
觸發(fā)器I/O
觸發(fā)器輸入為5V TTL； 觸發(fā)器輸出為5V TTL，相當(dāng)大10 mA
編碼器輸入
單軸編碼器線（正交，僅適用于腐蝕模塊模式）
環(huán)境評(píng)級(jí)
IP評(píng)級(jí)
根據(jù)IEC 60529-2004（外殼防護(hù)等級(jí)– IP規(guī)范）標(biāo)準(zhǔn)，瀏覽鍵區(qū)硬件設(shè)計(jì)符合IP67侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，飛梭旋鈕硬件設(shè)計(jì)符合IP66侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
在新開發(fā)的產(chǎn)品正式投入生產(chǎn)以前，奧林巴斯要對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)進(jìn)行內(nèi)部檢驗(yàn)。這款儀器經(jīng)測(cè)試證明符合IP評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
爆炸性氣氛
通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測(cè)試，可在***防火協(xié)會(huì)規(guī)范（NFPA 70）500節(jié)I級(jí)2分段D組中規(guī)定的爆炸性氣氛中安全操作。
防撞擊測(cè)試
通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測(cè)試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15 g，11 ms半弦波。
防振動(dòng)測(cè)試
通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測(cè)試，一般暴露：每軸1小時(shí)。
工作溫度
–10°C～50°C
電池存儲(chǔ)溫度
0°C～50°C
技術(shù)規(guī)格
一般規(guī)格
外型尺寸（寬 x 高 x 厚）
236 mm x 167 mm x 70 mm
重量
1.6公斤，包括鋰離子電池
鍵區(qū)
英文、國(guó)際符號(hào)、日文、中文
語(yǔ)言
英語(yǔ)、西班牙語(yǔ)、法語(yǔ)、德語(yǔ)、日語(yǔ)、中文、葡萄牙語(yǔ)和俄語(yǔ)
探頭接口
BNC接口或No.1 LEMO接口
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
機(jī)載100000個(gè)ID編碼，可插拔2 GB microSD卡（標(biāo)準(zhǔn)）
電池類型
單個(gè)鋰離子電池，可充電，標(biāo)準(zhǔn)型
電池供電時(shí)間
15小時(shí)到16小時(shí)（鋰離子）
電源要求
AC主電源：100 VAC ～ 120 VAC、200 VAC ～ 240 VAC，50 Hz ～ 60 Hz
顯示器類型
全VGA（640 x 480像素）透反彩色LCD，60 Hz更新速率
顯示屏尺寸（寬 x 高，對(duì)角線）
117 mm x 89 mm， 146 mm
脈沖發(fā)生器
脈沖發(fā)生器
可調(diào)方波
PRF
10 Hz ～ 2000 Hz，增量為10 Hz。
能量設(shè)置
100 V、200 V、300 V或400 V
脈沖寬度
25 ns ～ 5000 ns（0.1 MHz）范圍內(nèi)可調(diào)，利用PerfectSquare技術(shù)
阻尼
50、100、200、400 Ω
接收器
增益
0 dB ～ 110 dB
相當(dāng)大輸入信號(hào)
20 V P-P
接收器輸入阻抗
400 Ω ± 5%
接收器帶寬
0.2 MHz ～ 26.5 MHz，–3 dB
數(shù)字式濾波器設(shè)置
30個(gè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式濾波器設(shè)置 7個(gè)符合EN12668-1:2010標(biāo)準(zhǔn)的濾波設(shè)置（0.2-10 MHz、2.0-21.5 MHz、8.0-26.5 MHz、0.5-4 MHz、0.2-1.2 MHz、1.5-8.5 MHz和5-15 MHz）
檢波
全波、正半波、負(fù)半波、射頻波
系統(tǒng)線性
水平：±0.5 % FSW
分辨率
0.25 % FSH，放大器精度為±1 dB
抑制
0 % ～ 80 %滿屏高，帶有可視警告
波幅測(cè)量
0 % ～ 110 %滿屏高，分辨率為0.25 %
測(cè)量速率
在所有模式下，相當(dāng)于PRF
校準(zhǔn)
自動(dòng)校準(zhǔn)
聲速、零位偏移、 垂直聲束（第一個(gè)底面回波，或回波到回波）、角度聲束（聲程或者深度）
檢測(cè)模式
脈沖回波、雙晶或穿透
單位
毫米、英寸或微秒
范圍
3.36 mm to 13388 mm，5，900 m/s
聲速
635 m/s to 15240 m/s
零位偏移
0 μs ～ 750 μs
顯示延遲
-59 mm to 13401 mm，鋼中縱波聲速
折射角度
0° ～ 90°，增量為0.1°。
閘門
測(cè)量閘門
２個(gè)完全獨(dú)立的閘門，用于波幅和渡越時(shí)間（TOF）測(cè)量。
閘門起點(diǎn)
在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變
閘門寬度
在從閘門起點(diǎn)到顯示范圍的終點(diǎn)之間的區(qū)域內(nèi)可變
閘門高度
在2 % ～ 95 %滿屏高范圍內(nèi)可變。
報(bào)警
正閾值和負(fù)閾值，相當(dāng)小深度（閘門1和閘門2）
測(cè)量
測(cè)量顯示位置
5個(gè)位置（手動(dòng)或自動(dòng)選擇）
閘門（1和2）
厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、相當(dāng)小/相當(dāng)大深度、相當(dāng)小/相當(dāng)大波幅
回波到回波
標(biāo)準(zhǔn)閘門2到閘門1，可選界面閘門跟蹤
其它測(cè)量
DGS/AVG的上沖值（dB）、DGS/AVG的ERS（等效反射體大?。?、AWS D1.1/D1.5的A、B、C和D值定級(jí)、抑制值、回波到參考dB值。
DAC/TCG
標(biāo)準(zhǔn)
DAC點(diǎn)
多達(dá)50個(gè)點(diǎn)，110 dB動(dòng)態(tài)范圍
特殊DAC模式
自定義DAC（相當(dāng)多6條曲線），20 % ～ 80 %視圖
曲面校正
用于角度聲束測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正。
腐蝕（可選）
交叉零點(diǎn)測(cè)量算法、V聲程校正、單一回波、回波到回波，或編碼B掃描
軟件選項(xiàng)
? EP650-TEMPLATE (Q1400002)：模板存儲(chǔ) ? EP650-API5UE (Q1400003)：API 5UE缺點(diǎn)定量 ? EP650-AVERAGE (Q1400004)：波形平均 ? EP650-IG (Q1400005)：界面閘門 ? EP650-BEA (Q1400006)：底面回波衰減器（BEA） ? EP650-CO
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