特性一覽表 MCD 50-B、MCD 125-B/NPE 使用優(yōu)點(diǎn) 
低保護(hù)水平（Up1.3≤kv） 在B級(jí)和C 級(jí)浪涌保護(hù)器之間，無(wú)需設(shè)計(jì)退耦
裝置或在兩極之間保持一定的安裝空間。 
緊密的EMC結(jié)構(gòu) 節(jié)省45%以上的安裝空間 
在TT和TN-S系統(tǒng)中，和C級(jí)浪涌保護(hù)器一同安裝時(shí)，MCD 125B/NPE可以為B和C級(jí)浪涌保護(hù)器共用。 節(jié)省費(fèi)用及安裝空間 
 
功能和應(yīng)用領(lǐng)域

浪涌保護(hù)器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE滿足標(biāo)準(zhǔn)DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對(duì)B類器件的需求條件，以及標(biāo)準(zhǔn)IEC61643-1（02，89）對(duì)第Ι級(jí)浪涌保護(hù)器的要求，他們與后級(jí)限壓型電涌保護(hù)器配合使用時(shí)，無(wú)需設(shè)計(jì)退耦裝置，可以將兩極保護(hù)器安裝在一起。該產(chǎn)品是OBO在間隙型浪涌保護(hù)器的多電極石磨堆疊技術(shù)新發(fā)展。

MCD 50-B以其低保護(hù)電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，確保了與C級(jí)浪涌保護(hù)器配合使用時(shí)，不需要設(shè)計(jì)退耦裝置或者在B級(jí)和 C級(jí)之間留一定的安裝距離。這樣它可以節(jié)省超過(guò)45%的安裝空間，MCD 50-B這個(gè)特性特別是對(duì)緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻(xiàn)。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護(hù)器其大通流量的特性在TT、TN-S系統(tǒng)中使用，可以同時(shí)作為B和C級(jí)浪涌保護(hù)器的NPE保護(hù)模塊，節(jié)省費(fèi)用及安裝空間。

新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保護(hù)器周首選的應(yīng)用環(huán)境是，需要有緊湊的防雷保護(hù)概念或者需要在一個(gè)獨(dú)立的小型機(jī)房?jī)?nèi)安裝B和C兩級(jí)浪涌保護(hù)器的環(huán)境。例如：移動(dòng)、微波通信基站。
 
安裝

MCD50-B和MCD125-B/NPE的外殼尺寸滿足節(jié)省空間的17.5mm寬度模數(shù)的要求，所以該裝置容易安裝。通過(guò)浪涌保護(hù)器本身卡接在35mm導(dǎo)軌上的方式實(shí)現(xiàn)了該SPD的簡(jiǎn)便安裝。MC 125-B/NPE為N線和PE線分別提供了兩個(gè)端子。方便了SPD與線路之間的凱文連接。
 
技術(shù)參數(shù)

雷電保護(hù)控制器
型號(hào)  MCD 50-B MCD 125-B/NPE 
標(biāo)稱電壓 UN 230 V/50-60 HZ 
最大持續(xù)工作電壓 UC 255 V 
需求等級(jí)
－按照DIN VDE 0675 Part 6（Draft 11.89）A1,A2
－按照IEC 61643-1 
B

Ⅰ級(jí) 
NPE放電間隙 
雷電保護(hù)區(qū)
 0→1 
絕緣電阻 Rins
 >100 MΩ 
電壓保護(hù)水平 Up
 ≤1.3 kV 
響應(yīng)時(shí)間 TA <100 ns 
電涌電流測(cè)試（10/350）－根據(jù)IEC 61312-1(02.95)規(guī)定的雷電流參數(shù)
峰值電流 Iimp
電量 Q
單位能量 W/R
 

50 kA
25As
0.63 MJ/Ω 

125 kA
62.5 As 
3.9 MJ/Ω  
Uc下的后續(xù)電流遮斷能力 Ip
最大的非對(duì)稱短路電流 
 12.5KArm
25KArm 100 Arms
 
最大串聯(lián)保險(xiǎn)絲（僅在電網(wǎng)中無(wú)此保險(xiǎn)絲時(shí)需要）
 50 0A gL/gG 
后續(xù)電流遮斷能力（串聯(lián)500A gL保險(xiǎn)絲）
最大的非對(duì)稱短路電流 
 17.6KArm
25KArm 
溫度范圍 
 -40℃到+85℃ 
連接體橫截面積 單股/多股/多股軟線
緊固扭矩（MA）至少4Nm 10-50/ 10-25/ 10-35mm2
AWG 8-2