ITO靶的主要生產(chǎn)工藝是：將三氧化二銦和三氧化二錫按一定比例混合均勻——-冷等靜壓成坯——-熱等靜壓制成靶——-線(xiàn)切割——-客戶(hù)需要尺寸

1、產(chǎn)品：氧化銦錫靶材相對(duì)密度為：RD99；純度≥99.99%

2、化學(xué)成分

In2O3    :  SnO2    =  90:  10（m/m），偏差為±0.5%（m/m）。

In2O3    :  SnO2    =  97:  3（m/m），偏差為±0.5%（m/m）。

3      物理性能

3．1      相對(duì)密度：相對(duì)密度≥99％；密度均勻性偏差≤±0.2％；

3.2    電阻率：≤2.0Ω·mm2/m；

3.3    平均線(xiàn)膨脹系數(shù)：（2～9）×10-6  ℃-1    ；

3.4    失氧率：≤5％

4  物理規(guī)格

氧化銦錫靶材呈片狀或其它形狀，最大尺寸為∮250*300，其規(guī)格尺寸及其偏差由供需雙方商定。