光耦組成的脈沖電路圖原理及應用光耦是由發(fā)光二極

管和光敏三極管組合起來的器件，發(fā)光二極管是把輸入邊

的電信號變換成相同規(guī)律變化的光，而光脈敏三極管是把

光又重新變換成變化規(guī)律相同的電信號，因此，光起著媒

介的作用。由于光電耦合器抗干擾能力強，容易完成電平

匹配和轉(zhuǎn)移，又不受信號源是否接地的限制。所以應用日

益廣泛。一、用光電耦合器組成的多諧振蕩電路

用光電耦合器組成的多諧振蕩電路見圖1。當圖1（a）

剛接通電源Ec時，由于UF隨C充電而增加，直到UF≈1伏時

，發(fā)光二極管達到飽和，接著三極管也飽和，輸出Uo≈Ec

。三極管飽和后，C放電（由C→F→E1→Er和由C→RF

→+Ec→Re兩條路徑放電），uo減小，二極管在C放電到一

定程度后就截止，而三極管把儲存電荷全部移走后，接著

也截止，uo為零。三極管截止后，電源Ec又對C充電，重

復上述過程，得出圖示的尖峰輸出波形，其周期，為（當

RF》Re時）：T=C（RF+Re）In2圖1（b）是原理

相同的另一種形式電路。
 用光電耦合的多諧振蕩器圖1、用光電耦合的多諧振

蕩器二、用光電耦合器組成的雙穩(wěn)態(tài)電路用光

電耦合器組碭雙穩(wěn)態(tài)電路如圖2所示。電路接通電源

后的穩(wěn)態(tài)是BG截止，輸出高電位。在觸發(fā)正脈沖作用下，

ib增加使BG進入放大狀態(tài)，形成ib↑→if↑→ib↑↑，結(jié)

果BG截止，這種電路比普通的觸發(fā)順具有更高的抗干擾能

力。若設BG的極限電流Ic=6毫安，則R2=取為：R2≥

(13-1)/(6×)=24歐限流電阻R1可按下式計算

R1≥(E-IbmRce2min)/Ibm式中：Ibm是晶體管的最

大基極電流，Rce2min是光敏三極管集射間的最小電阻值

。
 用光電耦合的雙穩(wěn)態(tài)電路圖2、用光電耦合的雙穩(wěn)態(tài)

電路三、用光電耦合器組成的整形電路由于用

光電耦合器組成的脈沖耦合電路，其前后沿時間都比較大

，因此在耦合器后面接一級晶體管的整形放大電路。見表

一列出幾種整形電路的應用實例。
 用光電耦合器組成的斬波電路四、用光電耦合器組

成的斬波電路用光電耦合器組成的斬皮電路見表二
 用光電耦合器組成的斬皮電路
如何確定光耦合器性能的好壞確定光耦合器的好壞首

先確定光耦合器輸大端發(fā)光二極管的好壞。如圖1所示，將

萬用表置于Rx100擋或Rx1k擋，黑表筆接發(fā)光二極管的正

極，紅表筆接發(fā)光二極管的負極，此時萬用表顯示電阻值

應為幾百歐。2kΩ左右，然后對調(diào)表筆再測試，阻值應接

近∞，表明輸入端的發(fā)光二極管是好的。如出現(xiàn)阻值與上

述阻值相差甚遠，表明發(fā)光二極管性能不良或是已經(jīng)損壞

。
 測試光耦合器的輸入端圖1測試光耦合器的輸入端

測試光耦合器輸出端的光敏器件，如光敏器件是光敏

晶體管，將萬用表置于Rx1k擋或Rx1O0擋，按圖2所示的接

好，黑表筆接光敏晶體管的集電極，紅表筆接光敏晶體管

的發(fā)射極，萬用表的顯示應為接近幻，交換表筆，阻值仍

為∞，表明輸出端的光敏晶體管是好的。如果測試的阻值

與上述相差太多表明光敏晶體管性能不良或損壞。
 測試光耦合器的輸出端圖2測試光耦合器的輸出端

如果輸出端不采用光敏晶體管的其他類型光耦合器，

應根據(jù)不同結(jié)構(gòu)的光敏器件進行判斷。